Módulo de Memoria RAM DDR4 UDIMM / SODIMM de 8GB / 16GB / 32GB DRAM a 2400MHz / 2666MHz / 3200MHz

# Descripción general del producto

Optimice la eficiencia informática de su sistema con nuestra serie DDR4 DRAM Memory Module altamente confiable. Disponibles en factores de forma tanto de sobremesa (UDIMM de 288 pines) como de portátil (SO-DIMM de 260 pines), estos módulos ofrecen el equilibrio perfecto entre rentabilidad, estabilidad y rendimiento general. Con velocidades de hasta 3200MHz, son ideales para estaciones de trabajo de oficina, PC domésticas, sistemas comerciales y actualizaciones generales de TI.

Construido sobre el estándar de la industria JEDEC, nuestros módulos DDR4 operan a un bajo voltaje de trabajo de 1,2 V, ofreciendo hasta un 20% menos de consumo de energía en comparación con DDR3. Con la comprobación de redundancia cíclica de escritura (CRC) para una mayor fiabilidad de los datos, estos módulos garantizan una excelente durabilidad a largo plazo y una amplia compatibilidad. Proporcionamos servicios completos de OEM/ODM, calificar de encargo, y soluciones de empaquetado flexibles para apoyar su marca.

# Especificaciones técnicas

### 1. DIMM sin búfer no ECC DDR4 de 288 pines (escritorio)

• Capacidades disponibles: 8GB / 16GB / 32GB
• Opciones de velocidad de frecuencia: 2400MHz / 2666MHz / 3200MHz
• Ancho de banda de transferencia de datos: PC4-19200 / PC4-21300 / PC4-25600
• Latencia de CAS (CL):

-2400MHz: CL 17-17-17-39

-2666MHz: CL 19-19-19-43

-3200MHz: CL 22-22-22-52

• Configuración de DRAM: matriz de diseño 512Mx8 / 1Gx8 / 2Gx8
• Voltaje de funcionamiento: 1,2 V VDD estándar de menor potencia
• Dimensiones físicas: 31,25mm(H) x 133,35mm(L)

### 2. DDR4 SO-DIMM sin búfer no ECC de 260 pines (portátil/mini-PC)

• Capacidades disponibles: 4GB / 8GB / 16GB / 32GB
• Opciones de velocidad de frecuencia: 2400MHz / 2666MHz / 3200MHz
• Ancho de banda de transferencia de datos: PC4-19200 / PC4-21300 / PC4-25600 (Nota: Alineación de especificación estandarizada)
• Latencia de CAS (CL):

-2400MHz: CL 17-17-17-39

-2666MHz: CL 19-19-19-43

-3200MHz: CL 22-22-22-52

• Configuración de DRAM: matriz de diseño 512Mx8 / 1Gx8 / 2Gx8
• Voltaje de trabajo: Ultra-eficiente 1,2 V VDD
• Dimensiones físicas: 30,00mm(H) x 69,60mm(L)

# Características clave y ventajas tecnológicas

Diseño de baja potencia de 1,2 V: ofrece un consumo de energía general hasta un 20% menor en comparación con DDR3, lo que resulta en un funcionamiento más frío y una mayor duración de la batería en las computadoras portátiles.

Write CRC Support-La verificación de redundancia cíclica de escritura incorporada garantiza una integridad de señal de datos superior y confiabilidad del sistema en todos los grados de velocidad.

Rendimiento general: las velocidades de hasta 3200MHz (PC4-25600) proporcionan multitarea sin problemas, navegación web, aplicaciones de oficina y creación de contenido ligero.

Control de calidad riguroso: 100% probado para estabilidad, durabilidad y compatibilidad total con las placas base DDR4 convencionales.

# OEM/ODM y capacidades de personalización

Ofrecemos soluciones profesionales de fabricación de servicio completo para distribuidores globales, marcas de memoria e integradores de sistemas:

• Configuración SPD personalizada: cadenas de fabricante, números de serie y perfiles de rendimiento personalizados
• Etiquetado privado: etiquetas de marca personalizadas, logotipos y etiquetas de garantía con impresión de alta precisión
• Opciones de embalaje flexible:

Industrial a granel: bandejas ESD antiestáticas optimizadas para líneas de montaje de PC y fabricación automatizada